祢津 誠晃

ルンド大学情報電子工学専攻ナノエレクトロニクスグループにVisiting Research Fellowとして在籍しました。化合物半導体ナノワイヤーMOSFETのトラップ量評価の新手法を開発しました。研究結果は、IEEE Electron Devices Lettersに掲載予定です。